Netac，朗科，朗科科技，SSD固态硬盘，PSSD移动固态硬盘，DDR内存条，移动硬盘，存储卡，U盘朗科科技是全球闪存盘发明者及闪存应用领域产品与解决方案领导者，产品涵盖NAND FLASH相关SSD固态硬盘，PSSD移动固态硬盘，闪存盘，存储卡，移动硬盘等。同时包含Dram动态存储相关的DDR3,DDR4内存条产品以及相关电脑外设产品。
规格：M.2 2280读取速度：4850MB/s写入速度：4400MB/sPCle Gen4*4通道, NVMe1.3协议精选高品质3D闪存颗粒支持LDPC智能纠错智能温控+金属散热马甲,高效散热一体化结构,缓震抗冲击功耗低,静音运行
规格：M.2 2242读取速度：550MB/s写入速度：500MB/s支持TRIM、S.M.A.R.T和Dev-Sleep模式支持LDPC智能纠错算法采用SLC虚拟缓存技术支持磨损均衡技术抗震动，安静低耗
规格：mSATA读取速度：550MB/s写入速度：500MB/s支持TRIM、S.M.A.R.T和Dev-Sleep模式支持LDPC智能纠错算法采用SLC虚拟缓存技术支持磨损均衡技术抗震动，安静低耗
规格：M.2 2280，M Key接口读取速度：3500MB/s写入速度：3100MB/s支持PCIe Gen3*4标准和NVMe1.3标准协议支持4通道传输，搭配高密集垂直堆叠3D NAND 可选配合金马甲,有效提升散热效能 LDPC智能纠错机制 支持外置SDRAM缓存 兼容PC和笔记本电脑 功耗低，零噪音，抗震抗冲击
规格：M.2 2242，B+M Key接口读取速度：1800MB/s写入速度：1300MB/s 支持PCIe Gen3*2标准和NVMe1.3标准协议 2通道传输，搭配高密集垂直堆叠3D NAND LDPC智能纠错机制 支持主机DRAM缓存架构(HMB) 兼容PC和笔记本电脑 功耗低，发热量小，零噪音，抗震抗冲击
规格：M.2 2280，M Key接口读取速度：1800MB/s写入速度：1300MB/s支持PCIe Gen3*4标准和NVMe1.3标准协议 4通道传输，搭配高密集垂直堆叠3D NAND LDPC智能纠错机制支持主机DRAM缓存架构(HMB) 兼容PC和笔记本电脑 功耗低，发热量小，零噪音，抗震抗冲击
规格：M.2 2280 读取速度：550MB/s写入速度：500MB/s支持TRIM、S.M.A.R.T和Dev-Sleep模式 采用SLC虚拟缓存技术 支持LDPC智能纠错算法 支持磨损均衡技术 抗震动，安静低耗
规格：2.5 inch 支持TRIM、S.M.A.R.T和Dev-Sleep模式 支持LDPC智能纠错算法 采用SLC虚拟缓存技术 支持磨损均衡技术 抗震动，安静低耗